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  • FDS6912A_Q

FDS6912A_Q

描述MOSFET Dual N-Channel 30V漏极连续电流6 A
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间5 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1600 mW
上升时间5 ns典型关闭延迟时间23 ns

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