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  • FDS6930A_Q

FDS6930A_Q

描述MOSFET SO-8 DUAL N-CH电阻汲极/源极 RDS(导通)0.04 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间13 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间8 ns
典型关闭延迟时间17 ns

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