描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A,8.6A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 28 毫欧 @ 6.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 760pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDS6982TR |
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