| 描述 | MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.3A，8.6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 6.3A，10V，13.5 毫欧 @ 8.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9nC @ 5V，16nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 610pF @ 10V，1250pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
【Fairchild Semiconductor】FDS6982S,MOSFET SCHOTTKY 30V 8-SOIC
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