描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.5A,5.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 8.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1233pF @ 15V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS6984S-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDS6986AS,MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6986AS_NBBD005,MOSFET 30V Dual SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A,MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A_D84Z,MOSFET S0-8 DUAL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6990A_Q,MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V