| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.5A，8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 31 毫欧 @ 5.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 420pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS6984AS-NDFDS6984ASFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6984S,MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
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【Fairchild Semiconductor】FDS6986AS_NBBD005,MOSFET 30V Dual SyncFET
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