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  • FDS7060N7

FDS7060N7

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 19A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds3274pF @ 15V
功率 - 最大3W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘供应商设备封装8-SOIC
包装带卷 (TR)其它名称FDS7060N7TRFDS7060N7_NLFDS7060N7_NLTRFDS7060N7_NLTR-ND

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