描述 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 3.4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 208pF @ 50V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS86106TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS86140,MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS86141,MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS86240,MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS86242,MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS86252,MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN
【Fairchild Semiconductor】FDS86540,MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET