| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 255 毫欧 @ 2.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 16 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1130 pF @ 75 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
【Fairchild Semiconductor】FDS86540,MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDS8672S,MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8812NZ,MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8813NZ,MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8817NZ,MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC