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  • FDS8812NZ

FDS8812NZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs126nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds6925pF @ 15V
功率 - 最大1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称FDS8812NZTR

“FDS8812NZ”电子资讯

  • Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护,较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电 ...

  • 飞兆N沟道MOSFET系列提供高达8kV的ESD电压保护

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv的esd(hbm)电压保护,较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15’以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。 fds881xnz系列的主 ...

  • 飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)近日推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv的esd (hbm)电压保护,较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm)针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15”以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。 ...

“FDS8812NZ”技术资料

  • 飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列

    飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)近日推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv的esd (hbm)电压保护,较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm)针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm)非常适合于15”以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。 ...

  • 飞兆半导体推出全新的高效N沟道MOSFET系列

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护,较市场现有器件高出90%。 fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通 ...

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    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新的高效n沟道mosfet系列,提供高达8kv 的esd (hbm) 电压保护,较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺,这些低导通阻抗 (rds(on)) mosfet (包括rds(on) 低于5mohm的fds8812nz) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力,确保电池组在意外的电压尖峰冲击下,系统依然安全。 fds881xnz系列为设计工程师提供了多种选项,让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz (rds(on) = 4mohm) 针对高端笔记本电脑应用,协助设计工程师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz (rds(on) = 4.5mohm) 非常适合于15” 以上显示器的一体化笔记本电脑,而fds8817nz (rds(on) = 7mohm) 则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想 ...

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