| 描述 | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.6A，7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 17 毫欧 @ 8.6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8858CZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8876,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8876_F123,MOSFET 30V N-CHAN 12.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8878,MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8878_F123,MOSFET 30V N-CHAN 10.2A
【Fairchild Semiconductor】FDS8880,MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
