描述 | MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫欧 @ 18.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 144nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7535pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8840NZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8842NZ,MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8858CZ,MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8
【Fairchild Semiconductor】FDS8876,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8876_F123,MOSFET 30V N-CHAN 12.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8878,MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC