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  • FDS8882

FDS8882

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.33422
  • 5000$0.31118
  • 12500$0.29965
  • 25000$0.28813
  • 62500$0.28352
描述MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 15V
功率 - 最大1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称FDS8882TR

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