描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 940pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8882TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8884,MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS89141,MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS89161,MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS89161LZ,MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8926A,MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A SO-8
【Fairchild Semiconductor】FDS8928A,MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC