| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A，5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS8962C-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDS8978,MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8978_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7.5A
【Fairchild Semiconductor】FDS8984,MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F085,MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8984_F123,MOSFET 30V N-CHAN 7A 23mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDS9400A,MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
