| 描述 | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 105毫欧 @ 2.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS9958TR |
