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  • FDT86113LZ

FDT86113LZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.29
描述MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.8nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds315pF @ 50V
功率 - 最大2.2W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)

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