| 描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 漏极连续电流 | 75 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0062 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-251 | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 18 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 71 W | 上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDU6688_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6692_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6696,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6696_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
