您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdu6696_q

FDU6696_Q

描述MOSFET 30V N-Ch PowerTrench漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.008 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-251封装Tube
下降时间17 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散3.8 W上升时间4 ns
典型关闭延迟时间27 ns

fdu6696_q的相关型号: