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FDV302P_Q

描述MOSFET Digital FET P-Ch电阻汲极/源极 RDS(导通)13 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel下降时间8 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.135 S最小工作温度- 55 C
功率耗散0.35 W上升时间8 ns
典型关闭延迟时间9 ns

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