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  • FDW2508P

FDW2508P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOPFET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds2644pF @ 6V功率 - 最大1W
安装类型表面贴装封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP包装带卷 (TR)

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