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  • FDW258P

FDW258P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 9A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5049pF @ 5V
功率 - 最大600mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)

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