描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 350mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 100pF @ 10V |
功率 - 最大 | 446mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563F |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDY2000PZ-NDFDY2000PZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDY2001PZ,MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F
【Fairchild Semiconductor】FDY3001NZ,MSOFET N-CH DUAL 20V SOT-563F
【Fairchild Semiconductor】FDY300NZ,MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
【Fairchild Semiconductor】FDY301NZ,MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
【Fairchild Semiconductor】FDY4000CZ,MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6