您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdz202p_q
  • FDZ202P_Q

FDZ202P_Q

描述MOSFET 20V/12V P-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通)0.045 Ohms
配置Single Quint Source Hex Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体BGA
封装Reel下降时间24 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)33 S最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间9 ns
典型关闭延迟时间36 ns

fdz202p_q的相关型号: