| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 45 毫欧 @ 4.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 884pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-WFBGA | 供应商设备封装 | 9-BGA |
| 包装 | 带卷 (TR) |
器公司(ir)和飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)。ir公司的20v、5.1a的irf6100 pmos器件的沟道电阻在vgs 为-4.5v时为65mw，在vgs为-2.5v时增大到95mw。售价为0.35美元（批量1,000件）的irf6100，采用边长只比1.5mm稍大的4球csp封装，其最大连续漏极电流在70℃温度下为3.5a（图2）。 图 2 ir公司把一个20v、5.1a开关装在一个边长稍大于1.5mm 的4球csp的封装中。 飞兆半导体公司的fdz204p，其尺寸仅为2×2mm，售价为1.02美元（批量1,000件）。这种20v、4.5a pmos器件的沟道电阻在vgs为-4.5v和-2.5v时分别为45mw和75mw。在因测试条件不同而调整标定的数据表最大值后，fdz204p的只有13nc栅极电荷比irf6100少20%左右。飞兆公司将fdz204p装在一个12球bga封装中。 即使导通电阻为毫欧姆数量级，这些小型csp也需要考虑散热设计问题--当考虑到热阻rθjb（pn结到球）和rθjc（pn结到外壳）时，这一点真是出人意外。例如，飞兆公司 ...
