| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 4A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 657pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-WFBGA | 供应商设备封装 | 12-BGA |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDZ209N-NDFDZ209NTR |
