| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，WLCSP | 供应商设备封装 | 4-WLCSP（1x1） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDZ371PZTR |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)宣布推出1mm×1mm wl-csp封装20v p沟道mosfet器件fdz371pz，该器件设计采用飞兆半导体的专有powertrench 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低rds(on) 值(-4.5v下为75mω) ，能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗，fdz371pz能够提高便携设计的效率，并延长电池寿命。fdz371pz还可提供4.4kv的稳健esd保护功能，以保护器件免受esd事件影响。 fdz371pz器件的wl-csp封装使用4×250μm无铅焊球，具有出色的电气和热阻数值，安装时的封装高度达到0.4mm，达业界领先水平。 fdz371pz是飞兆半导体全面的先进mosfet产品系列的成员，能够满足业界对于紧凑的薄型mosfet器件的需求，并提供高效率和出色的开关性能。 价格(订购1,000个，每个)： 0.30美元 供货: 现提供样品 交货期：8至12星期 ...
日前，飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)宣布推出1mm x 1mm wl-csp封装20v p沟道mosfet器件fdz371pz，该器件设计采用飞兆半导体的专有powertrench 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低rds(on) 值(-4.5v下为75m?) ，能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗，fdz371pz能够提高便携设计的效率，并延长电池寿命。fdz371pz还可提供4.4kv的稳健esd保护功能，以保护器件免受esd事件影响。 fdz371pz器件的wl-csp封装使用4 x 250?m无铅焊球，具有出色的电气和热阻数值，安装时的封装高度达到0.4mm，达业界领先水平。 fdz371pz是飞兆半导体全面的先进mosfet产品系列的成员，能够满足业界对于紧凑的薄型mosfet器件的需求，并提供高效率和出色的开关性能。 ...
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