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  • FDZ5047N_Q

FDZ5047N_Q

描述MOSFET 30V/20V NCh MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)2.9 m Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体BGA
封装Reel下降时间55 ns
最小工作温度- 50 C功率耗散2.8 W
上升时间12 ns典型关闭延迟时间119 ns

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