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FJL4315OTU_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial最大直流电集电极电流17 A
直流集电极/Base Gain hfe Min55最大工作频率30 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-264封装Tube
集电极连续电流15 A最小工作温度- 50 C
功率耗散150 W

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