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FJN3311RBU_Q

描述Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/22K封装 / 箱体TO-92-3
集电极—发射极最大电压 VCEO40 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散0.3 W
最大工作温度+ 150 C封装Bulk
最小工作温度- 55 C

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