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  • FJN598JCBU

FJN598JCBU

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92漏极至源极电压(Vdss)-
漏极电流 (Id) - 最大1mAFET 型N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)20V电压 - 切断 (VGS 关)@ Id600mV @ 1?A
输入电容 (Ciss) @ Vds3.5pF @ 5V电阻 - RDS(开)-
安装类型通孔包装散装
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体供应商设备封装TO-92-3
功率 - 最大150mW

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