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FJV3106RMTF_Q

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/10K 47K典型电阻器比率0.21
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散0.2 W
最大工作温度+ 150 C封装Reel
发射极 - 基极电压 VEBO10 V最小工作温度- 55 C

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