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FJX4013RTF_Q

描述Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Si Transistor Epitaxial安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-323-3集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
集电极连续电流- 0.1 A峰值直流集电极电流100 mA
功率耗散0.2 W最大工作温度+ 150 C
封装Reel发射极 - 基极电压 VEBO- 10 V
最小工作温度- 55 C

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