| 描述 | IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA | 配置 | 半桥 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 50A | 电流 - 集电极截止（最大） | 3mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies) | - | 功率 - 最大 | 320W |
| 输入 | 标准型 | NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 7PM-GA |
| 供应商设备封装 | 7PM-GA | 其它名称 | FMG2G50US120_NLFMG2G50US120_NL-ND |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出两种新型1200v igbt模块 --fmg2g50us120 和fmg2g75us120，电流额定值分别为50a和75a，具有兼顾地优化的导通损耗(vce(sat))与关断损耗(eoff)，提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源 (ups)，以及工作频率在10khz-30khz的普通逆变器。与使用非穿通型 (npt) 技术的同类元件相比，飞兆半导体的fmg2g75us120可减少功率损耗达20%。(在co2 焊接应用中的测试取得良好效果：20khz 开关频率；380v 3相输入；300a输出；全负载条件下峰值电流为40a；及全负载条件下最大占空比为20%。为了在目标工业应用中达到高可靠性要求，飞兆半导体的新型1200v igbt 功率模块还具有极低的vce(sat) 温度变化偏差。额定值为75a的fmg2g75us120在25 至125°c温度范围内的最大偏差值仅为0.1v。两款1200v器件同时备有全面的10微秒短路耐受时间和矩形反偏压安全工作区域 (rbsoa)，进一步提升系统的稳定性。 ...
