| 描述 | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 50A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac?-5 | 供应商设备封装 | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FMM7G20US60I,IGBT 模块 600V 20A Module
【Fairchild Semiconductor】FMM7G20US60N,IGBT 模块 600V 20A Module
【Fairchild Semiconductor】FMM7G20US60SI,IGBT 模块 Compact Module Complex
【Fairchild Semiconductor】FMM7G20US60SN,IGBT 模块 Compact Module Complex
【Fairchild Semiconductor】FMM7G30US60I,IGBT 模块 600V 30A Module
【Fairchild Semiconductor】FMM7G30US60N,IGBT 模块 600V 30A Module
【Fairchild Semiconductor】FMM7G30US60SI,IGBT 模块 Compact Module Complex
【Fairchild Semiconductor】FMM7G30US60SN,IGBT 模块 Compact Module Complex