| 描述 | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 900V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 960 毫欧 @ 5.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 94nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 管件 |
c ---------- (2) 其中 r(t) 代表一个散热能力的参数。当脉冲宽度非常短时 , r(t) 也相对很小。但当脉冲宽度很长时 , r(t) 会接近于 1, 此时瞬时的热阻也会与稳态时一样高。图六所示是 fairchild semiconductor 所提供的瞬时热阻参数曲线图。从此图中 , 在瞬时条件下其接合面温度可导出如下式 : tj = pd x z θ jc(t) + tc ---------- (3) 举例说明 , 当一个 2kw 的电源脉冲加至 fqa11n90 的脉冲时间为 1us 时 , 我们可依据图六的曲线算出此脉冲功率对接合面所产生的温升为 t = pd x z θ jc(1us) = 2000 x 1.49 x 10-3 ? 3 ° c 此脉冲功率如此之大 , 但其所造成的上升温度变化仅有 3 ° c 。但不要忘了 , 在规格书中所记载的额定消耗功率是以稳态条件下去推导出来的。 在瞬时条件下 , 像如此的脉冲可以让场效应晶体管承受更大的功率损耗。 在上面的例子中 , 要在图六里找出 1us 的瞬时条件曲线是无法求出的。假使我 ...
超级不会说得对。460耐压确实也不够。你要是反激电路，或正激电路的话。你做的功率是130w可以选2sk1358或fqa11n90，2sk1358耐压为900v电流是9a。11n90耐压为900v电流是11.4a导通内阻是0.96欧。可以满足你的要求，你可以把频率调高到40k以上。这样变压器的体积就下来了。我做240w的用11n90。相当好。 ...
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90_F109,MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90C,MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA11N90C_F109,MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA12N60,MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA12P20,MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA13N50,MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P