| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FQA19N60-NDFQA19N60FS |
式（15）计算。c8=1/[2πfv1(z)r11] （15）将fv1(z)=3hz和r11=510kω代入式（15），得到c8=0.104μf，可选择0.1μf的标准值。2.2.2.8 功率开关q1和升压二极管d1的选择q1和d1的耐压至少是500v，以能安全承受400v的dc升压电压。由于通过升压电感器l1的最大峰值电流il(max)=10.45a，故q1和d1的峰值电流容量不能低于1045a。推荐升压二极管d1选用isl9r1560p2，q1选用fdh44n50，fqa28n50，fqa19n60等mosfets，或选用fgh40n6s2d，hgtg20n60a4d，fgk60n6s2d等igbts。3 实验结果对于图2所示的pfc升压变换器电路，按设计结果选择元器件，焊接在pcb上经检查无误后，在ac输入端串接上ac250v/8a的保险丝f1。为安全起见，可在输出端（香蕉插头j3和j4）接100w的负载，并接一块dc电压表。在输入端（j1和j2）连接一个隔离可调的ac电源（通常为交流调压器），使ac输入电压从零缓慢增加到90v时，pfc变换器输出在5s之内应为dc（400±5 ...
【Fairchild Semiconductor】FQA20N40,MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA22P10,MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50,MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50F,MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50F_F109,MOSFET QFET 500V 24A
【Fairchild Semiconductor】FQA24N60,MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P