描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.017 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-3P |
下降时间 | 145 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 190 W | 上升时间 | 300 ns |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQA70N10,MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA70N15,MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N60,MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N65C,MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80_F109,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80C_F109,MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P