| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.45 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V | 功率 - 最大 | 225W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FQA8N100C-NDFQA8N100CFS |
