描述 | MOSFET 30V N-Ch Logic Level | 漏极连续电流 | 51 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 13.5 Ohms | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263 | 封装 | Reel |
下降时间 | 75 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 3.75 W | 上升时间 | 155 ns |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQB65N06TM,MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N15TM,MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N25TM,MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N40CFTM,MOSFET N-CH/250V 5.5A/1OHM
【Fairchild Semiconductor】FQB6N40CTM,MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N50TM,MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK