| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.1 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | D2PAK |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 40 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
| 上升时间 | 70 ns | 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQB6N50TM,MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N60CTM,MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N60TM,MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N70TM,MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N80TM,MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB6N90TM_AM002,MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK