| 描述 | MOSFET | 漏极连续电流 | 5.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.9 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | D2PAK | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 55 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 6.3 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
| 上升时间 | 80 ns | 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQB6N90TM_AM002,MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB70N08TM,MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB70N10TM_AM002,MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N10LTM,MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N10TM,MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N20LTM,MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK