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  • FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.78153
  • 1600$0.7062
  • 2400$0.65912
  • 5600$0.62616
  • 20000$0.60262
描述MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 25V功率 - 最大3.13W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)包装带卷 (TR)
其它名称FQB8N60CTM-NDFQB8N60CTMFSTR

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