| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 280 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD12N20LTM-NDFQD12N20LTMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20LTM_F085,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TF,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TM,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TM_F080,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TF,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TF_NB82105,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
