| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 280 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 910pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD12N20TM-NDFQD12N20TMFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD12N20TM_F080,MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TF,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TF_NB82105,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TM,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TM_AS004,MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TM_F085,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06LTF,MOSFET N-CH 60V 11A DPAK