描述 | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 290 毫欧 @ 4.7A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TM_AS004,MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD12P10TM_F085,MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06LTF,MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06LTM,MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06TF,MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06TM,MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10LTF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK