| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 115 毫欧 @ 5.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.4nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06LTM,MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06TF,MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N06TM,MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10LTF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10LTM,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10LTM_NBEL001,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10TF,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD13N10TM,MOSFET N-CH 100V 10A DPAK