描述 | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 7.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10LTM,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TF,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM_F080,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N50TF,MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N50TM,MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N60CTF,MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N60CTM,MOSFET N-CH 600V 1A DPAK