| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD1P50TF,MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1P50TM,MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD20N06LETM,MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD20N06LTF,MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD20N06LTM,MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK