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  • FQD1N80TM

FQD1N80TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.271
  • 5000$0.25232
  • 12500$0.24297
  • 25000$0.23363
  • 62500$0.22989
描述MOSFET N-CH 800V 1A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs7.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds195pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3包装带卷 (TR)
其它名称FQD1N80TM-NDFQD1N80TMTR

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