| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 63 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 590pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD20N06TM-NDFQD20N06TMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD24N08TF,MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD24N08TM,MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N100TF,MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N100TM,MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N30TM,MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N40TF,MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK